((Traduction automatisée par Reuters à l'aide de l'apprentissage automatique et de l'IA générative, veuillez vous référer à l'avertissement suivant: https://bit.ly/rtrsauto))
Samsung Electronics 005930.KS utilisera le procédé 3 nanomètres de TSMC 2330.TW pour produire les puces de base destinées aux puces de mémoire à haute bande passante (HBM) personnalisées de nouvelle génération de Nvidia NVDA.O , a rapporté dimanche le Seoul Economic Daily.
Selon cet article, cette initiative marquerait la première collaboration entre Samsung et le fabricant taïwanais de puces en sous-traitance au stade de la fabrication de la mémoire HBM.
* Nvidia a demandé à Samsung, SK Hynix 000660.KS et Micron Technology MU.O d’utiliser le procédé de TSMC pour les puces de base NVHBM, et la technologie DRAM de sixième génération pour ses puces centrales, a indiqué le journal, citant des sources du secteur.
* La technologie NVHBM, dévoilée en août, intègre le contrôleur de mémoire sur mesure de Nvidia dans la puce de base et vise à normaliser la mise en œuvre chez plusieurs fournisseurs de mémoire, selon l’entreprise.
* Samsung a accepté les exigences de Nvidia après un examen interne, mais prévoit de conserver son modèle de production en interne pour la HBM standard et les produits sur mesure destinés à d’autres clients, a indiqué le Seoul Economic Daily.
* Elle évalue également si sa propre fonderie pourrait produire des puces de base NVHBM si la demande venait à dépasser la capacité de TSMC, a déclaré une source anonyme citée par le journal.
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